场效应管参数大全
答：场效应管参数是:N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。可以替换的如下：K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种...
答：场效应管的参数符号代表着其各种特性的描述。以下是这些参数的详细解释：Cds：表示漏源电容，它反映了器件在漏极和源极之间的电荷存储能力。Cdu：是漏-衬底电容，描述了漏极与衬底之间的电容效应。Cgd：栅-源电容，表示栅极与源极之间的电容关系。Cgs：栅-源电容，是栅极与源极之间的控制电容，影响栅极...
答：P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为：当UDS一...
答：根据厂家提供的规格书，8N60场效应管的主要参数包括以下几个方面：1. 最大漏源极电压（VDS）： 600V；2. 最大栅源极电压（VGS）： ±30V；3. 最大漏电流（ID）： 8A；4. 最大功耗（PD）： 75W；5. 漏源极电阻（RDS(on)）： 1.1Ω；6. 开启时间（ton）： 20ns；7. 关闭时间（toff...
答：VDSS---最大-耐压 VDGR---栅漏耐压 VGS(th)---控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压)VGSM---控制栅最大电压 ID---漏极最大电流 tr---最大工作频率(或叫响应速度)RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行。
答：一、场效应管k3878参数如下：1、2sk3878---N沟、D、S带保护二极管;G、S带保护双向二极管2、工作电压---900v3、连续最大电流---9a4、最大脉冲电流---27a5、最大输出功率---150w6、栅极最大工作电压30v 二、基本简介 1、K3878是场效应管，型号命名，有两种命名方法。第一种命名方法与双极型...
答：20N60场效应管是一款针对高电压和大电流应用设计的器件，其主要参数如下：首先，该管子支持的电流规格为20安培（A），能够在600伏特（V）的电压下稳定工作。N通道IGBT的特点使其适用于需要高电压驱动的电路中，它的集电极-发射极击穿电压为600V，保证了器件的耐压能力。在脉冲电流方面，集电极脉冲电流可以...
答：参数为下：1、IDSS，饱和漏源电流，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP，夹断电压，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT，开启电压，是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM，跨导，是表示栅源...
答：K2698场效应管参数主要包括最大漏极电流、漏源电压、栅源电压、功耗等。K2698场效应管是一种常用的电子元器件，广泛应用于电子设备中。它的主要参数对于电路设计和性能分析具有重要意义。最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大电流值，它决定了场效应管在电路中的电流承受能力。漏源电压是指场效应管...
答：①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。④、关于以上三种型号的场效应管均...
网友评论：
父连13292709134：
场效应管的主要参数有哪些?
8166从奋
： 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
父连13292709134：
irfpg50场效应管参数
8166从奋
：   irfpg50场效应管参数:   其型号为IRFPG50,类型为N沟道场效应管,耗散功率(PD)为180W,漏极电流(ID)为6.1A,漏极和源极电压(VDSS)为1000V,封装TO-247AC.   场效应晶体管有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.
父连13292709134：
260m场效应管参数
8166从奋
： IRFP260M:200V,40mO,50A,300W制造商: International Rectifier产品种类: ... Enhancement商标: International Rectifier配置: Single 260m场效应管参数 效应管参数:...
父连13292709134：
场效应管参数大全(K3116) -
8166从奋
： 用IRFPC50代替.
父连13292709134：
150N10的场效应管电压、电流参数? -
8166从奋
： 150N10场效应管的额定工作电压为100V、Id电流 35度时为57A,100度时为40A .
父连13292709134：
K1573与K2828场效应管参数耐压几伏、输出电流几安、功率几瓦?
8166从奋
： 正确型号是2SK1573和2SK2828,都是N沟道功率场效应管.2SK1573耐压600V,最大连续电流15A,最大功耗125W;2SK2828耐压700V,最大连续电流12A,最大功耗175W.
父连13292709134：
K2698场效应管参数 -
8166从奋
： K2698场效应管参数: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
父连13292709134：
大功率场效应管参数 -
8166从奋
： RJH30H1DPP-M0 Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat...
父连13292709134：
WFF830N能否用IRF830代换,各自的参数是多少 -
8166从奋
： 可以的 WFF830N: 漏极与源极间电压VDSS:500V 漏极电流ID:5.0A(温度= 25°C);3.0A(温度= 25°C); 漏极最大电流IDM:18A 栅极与源极间电压VGS:±30V IRF830: 漏极与源极间电压VDSS:500V 漏极电流ID:4.5A 漏极最大电流IDM:18A ...
父连13292709134：
l2n5o场效应管的参数耐压和电流是多少 -
8166从奋
： 这是一个场效应管.最大电流12安培.最高耐压500伏.
