热击穿和雪崩击穿
答：1、电流不大且时间不长属于雪崩击穿，可以恢复。2、不可恢复的叫热击穿。3、二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的...
答：MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。
答：雪崩击穿的深度与控制 当电场分布不均，如nn+结处，雪崩效应倍增，可能产生不利于器件的电流分布。功率器件的雪崩测试通常通过UI（Unidirectional Isolation）电路来评估，其目的在于测量在过电压下的稳定性和恢复能力。在雪崩期间，能量耗散与温度紧密相连，高温可能导致热击穿，而电子-空穴对的生成则触发了负...
答：解答：由于雪崩击穿和齐纳击穿。原因：二极管内部存在PN结，在测量其特性时，如果加在PN结上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增加，这就是反向击穿，其原因是：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。产生漂移运动的少数载流子通过空间电荷区时，在很强的电场作用下获得足够的动能，与...
答：当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加...
答：稳压管和普通二极管PN结结构稍微有些不同。一般稳压管的PN结面积较大，这样允许通过的电流也较大。由于PN结的击穿分为齐纳（齐纳是德国物理学家，半导体PN结的这种特性是齐纳先生最先发现的，故稳压二极管又称齐纳二极管）击穿和热击穿。稳压管的PN结面积较大，使用时又加有合适的限流电阻，故工作在击穿状态...
答：齐纳击穿：对于高掺杂的PN结，由于结很薄，电压升高容易产生很强的电场，将结内共价键中的价电子拉出来，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿。一般发生在低反压、高掺杂的情况下。雪崩击穿：对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的...
答：击穿分两种:1，一次击穿，当反偏电压超过击穿电压后发生，这个击穿可恢复。跟据pn结的参杂浓度不同分为隧道击穿和雪崩击穿，表现为击穿电压不同， 隧道击穿较低 2，二次击穿（热击穿），与一次击穿不同的是流过的电流大，发热后使pn结发生融穿，不可恢复。 二极管击穿后正反向电阻都为零，失去...
答：二极管的峰值反向电压是指：正常二极管两端所能承受的最大反向电压。若超过这个电压，二极管会被击穿，分两种情况。情况1：齐纳击穿，这种击穿二极管恢复后还可以使用。情况2：雪崩击穿，这种击穿是无法恢复的，也就是器件损坏了 对于稳压管而言，稳压管的工作状态就是反向击穿状态。那么这个值就代表稳压管被...
答：当反向电压的绝对值达到|VBR|后，反向电流会突然增大，此时PN结处于“反向击穿”状态。发生反向击穿时，在反向电流很大的变化范围内，PN结两端电压几乎不变。 反向击穿分为电击穿和热击穿，电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿。... 望采纳~！互相帮助，十分感谢 ~！
网友评论：
娄达13145659755：
请问半导体器件雪崩击穿发生之后,继续增加电压电流,器件是进入热击击穿? -
59548余艳
： 这个说法是不准确. 首先雪崩击穿和热击穿发生机理不同;热击穿是因为热而导致电流增大从而损坏;而雪崩击穿是因为反偏电压高而产生雪崩倍增效应从而导致损坏. 半导体器件雪崩击穿发生之后,继续增加电压电流,器件由于热而导致烧毁(而不是热击穿,此时未必发生热击穿). 另外雪崩击穿造成器件失效,失效的原因不是只有一个热的原因,还有的因为由于雪崩击穿而造成器件其他电特性参数变差.
娄达13145659755：
什么叫击穿?击穿分几种? -
59548余艳
： 击穿分绝缘材料击穿和PN结击穿. 绝缘材料击穿是电压超过了结缘材料的耐压值后产生的导电现象,这个时刻往往电流急剧增大,产生巨大的能量把材料烧毁. PN结击穿有齐纳击穿、雪崩击穿及热击穿. 齐纳击穿和雪崩击穿都是电击穿,电压降低后PN结完好如初.齐纳击穿很好的用途就是稳压,雪崩击穿通常用于白噪声源. 热击穿是指温度超过了PN结的允许温度发生了物理性的击穿,温度恢复后PN结要么性能改变、要么彻底损坏.电击穿不加电流限制就会同时发生热击穿,PN就是这样损坏的.
娄达13145659755：
稳压二极管击穿后为什么可以复原 -
59548余艳
： 二极管击穿有热击穿和电击穿,电击穿分为两种,雪崩击穿和齐纳击穿,雪崩击穿出现在轻度掺杂的PN结中,而齐纳击穿则出现在耗尽区较窄的重掺杂中,只要限制反向电流,就可以保护PN结不受损坏.
娄达13145659755：
二极管的击穿 -
59548余艳
： 1,电压击穿:反向电压超过它的耐压值. 2,电流击穿:工作电流超过它的额定最大电流,发热击穿. 3,齐纳击穿:内部共价键晶状结构破坏,又称“雪崩击穿.”
娄达13145659755：
如果一个二极管反向击穿,是不是说它烧坏了呀? -
59548余艳
： 普通的二极管反相击穿分为,热击穿(齐纳击穿),雪崩雪崩击穿两种,热击穿后,是能自己恢复的,雪崩击穿后不可逆,长时间热击穿也可能会导致不可逆. 稳压二极管则是利用反相击穿的特点来进行稳压,长时间工作在反相击穿状态,但是也有最大反相电压,超过仍能导致二极管的损坏.
娄达13145659755：
隧道击穿和雪崩击穿是什么情况啊? -
59548余艳
： 隧道击穿和雪崩击穿是pn结两种不同的击穿机制.pn结在反向高压下会发生击穿.其中雪崩击穿指势垒边缘扩散进势垒区的电子和空穴在高场下加速,获得极大动能.它们与势垒区的晶格原子碰撞,使其价电子电离,获得新的自由电子和空穴,由此1生2,2生4,载流子不断倍增,最终导致pn结击穿.隧道击穿也叫齐纳击穿,可以用量子力学中的隧道效应来解释,随着反向偏压的不断增大,势垒区的价电子势能增大,而势垒区宽度降低,此时pn结穿两端电子与空穴穿过势垒的几率增大,由此大量载流子隧穿而引起反向电流增大,击穿pn结.随着反向电压的不同,隧道击穿与雪崩击穿可单独或同时存在,具体可以参见教科书《半导体物理基础》.
娄达13145659755：
介绍一下固体介质的击穿特性 -
59548余艳
： 一种固体电介质具有其一定的击穿电压.产生击穿的机理有隧道击穿和雪崩击穿两种.隧道击穿的电压很低,故一般往往是雪崩击穿起着决定作用. 雪崩击穿是通过载流子倍增效应来实现的,当最大电场达到击穿电场时,即发生雪崩倍增而击穿.因此,提高击穿电压的有效途径有如:降低电场;使电场分布均匀(降低最大电场);避免出现局部电场集中(例如气泡等缺陷);选用禁带宽度大的电介质(因为倍增效应的本质是本征激发). 半导体的击穿与此类似. pn结的击穿还需要考虑pn结的结构和结面的平整度等. 详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
娄达13145659755：
二极管击穿以后,到底是开路状态还是短路状态 -
59548余艳
： 电击穿(雪崩、随穿)是短路没错 热击穿不一定,要看哪里被烧毁,如果金属互连烧掉也可能是断路的
