n型场效应管接线图
答：众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从图1上可以看出其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P...
答：不是杂牌，这是一颗N沟道增强型场效应晶体管，是台产尼克森微电子出品，NIKOS是NIKO-SEM的缩写。下图是这款MOSFET的参数表。
答：若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。2、三极管分辨方法：1、从结构上看，PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体，中间的基区是N型半导体，而NPN管的...
答：JFET工作原理，以N沟道结型场效应管为例：N沟道结型场效应管在工作状态下，需要施加特定的偏置电压，即在栅-源极间添加一个负电压(vGS<0)，这使得栅-源间的P+N结处于反向偏置状态，此时栅极电流iG几乎为零，场效应管显示出极高的输入电阻，大约在108欧姆级别。在漏-源极间则加入正电压(vDS>0)...
答：问题非常大。你这电路为源极跟随器，类似于双极型三极管的射极跟随器，此类电路输出电压不会高于驱动电压。很多场效应管的栅源极开启电压都在2V以上，这就意味着：你这个电路中场效应管的栅极用5V的电压驱动时，负载实际获得的电压不足3V---考虑到跨导因素，场效应管在输出较大电流时，GS两极间电压要...
答：方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。向左转|向右转 场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。举个例子:做一个场效应管的的开关电路，控制25w24v的电磁铁，电源...
答：vt1 导通相当于电容接正级（ui）vt2 导通相当于接地不断震荡产生调制波。。不用想太多。。。
答：同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）...
答：前面一个朋友的说法有一些欠妥，比如结型管（J-FET）与MOSFET并不互相包含，反而是并列关系，这两种是场效应管的两种类型，而JFET也可以分成N-JFET和P-JFET两种，像2SK117，2SK596都是常见的N-JFET型号，不过P-JFET的具体型号我还没见过，一般都融入了集成电路设计（IC设计）中。
答：绝缘栅场效应管（MOSFET）的工作原理基于利用电压UGS来控制导电沟道的宽度，从而影响漏极电流ID。MOSFET有两种类型：增强型和耗尽型。增强型MOS管在UGS=0时无导电沟道，而耗尽型MOS管则在UGS=0时有导电沟道。图二中的结构包括P型半导体衬底、二氧化硅(SiO2)薄膜和金属铝层。当施加电压UGS时，会在金属铝...
网友评论：
陶风15260162106：
请教场效应管的简单接法 -
60465唐学
： 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
陶风15260162106：
场效应管怎么接? -
60465唐学
： N型的增强型MOS管,驱动电路接栅极G,注意是电压驱动型,查看芯片手册 看驱动方式,源极S可接负载或者地,漏极D接电源或者负载 P型的S和D相反
陶风15260162106：
怎么使用N型场效应管用作开关,电压是48v,用电器是LED灯,应该怎么接线,求电路图, -
60465唐学
： LED灯组工作电压48v吧,n-mos需要耐压60v以上和可承受LED灯组工作电流.R1,R2适当调校以达到正常控制效果,或用可调电阻取代.
陶风15260162106：
MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接啊? -
60465唐学
： 对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压,约为1V左右,根据管子不同夹断电压也不同),电流方向为D-->S 一般G的电压(相对于S)不能大于30V,否则会击穿!(一般为10V左右)同时DS两端的耐压,和所能承受的电流也一个考虑到(例如2N60B IDS=2A VDS=600V)最后还有跨导(gm)
陶风15260162106：
如何判断场效应管是N型沟道还是P型沟道呀? -
60465唐学
： (1)场效应管的极性判断,管型判断: G极与D极和S极正反向均为∞ (如图) (2)场效应管的好坏判断 1. 把数字万用表打到二极管档,用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚,好的场效应管最终测量结果只有一次有读数,并且在500左右. ...
陶风15260162106：
如何识别场效应管 -
60465唐学
： 帮你找的,希望有用.【场效应管的识别】 场效应管在电路中常用字母“v”、“VT”加数字表示,如VT1表示编号为1的场效应管.对于国产场效应三极管的型号, 现在有两种命名方法.一是与普通三极管相同:第三位宁母J代表结型场效应...
陶风15260162106：
电力场效应管MOSFET是什么现象 -
60465唐学
： 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor...
陶风15260162106：
关于主板的场效应管,讨个通俗的解释 -
60465唐学
： 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为...
陶风15260162106：
N沟道增强型绝缘栅型场效应管.
60465唐学
： 谁告诉你N沟道结型场效应管是双向导通的!?那为什么又有G、D、S之分呢!?象可控硅它分为单向可控硅和双向可控硅: 单向可控硅分为阳A,阴K,栅G, 双向可控...
陶风15260162106：
为什么这样接N型场效应管不能导通 -
60465唐学
： 你的R3接的方法,有错误,R3要接到VCC电源端,这个mos管是个开关管,假设开关管的gs有1/2的vcc,导致开关管的ds之间导通,即就是:UD=US,这样的话,US=12v,Ug=6v,这个n沟道的mos管,会自动的关闭,所以需要把R3挪到mos管的d级那边,mos管打开和关闭就很容易了,给分把.
