pn结正向和反向偏压能带图
答：式中 W——耗尽层宽度；ε——介电常数；е——电子电荷量；V——外加反向偏压；V0——内部区域电压；NA——受主杂质浓度。由电阻率公式，求出NA：式中 ρ——材料电阻率；μ( h)——空穴迁移率。将式（4-1-7）代入式（4-1-6）：耗尽层与(ρV )1/2成正比。PN结可视为平行板电容器...
答：正偏和反偏是针对PN结而言的,所谓正偏也就是指外加电压的正极加在P区,负极在N区.反偏就相反.对于三极管,它的状态与两个结的正反偏有关系,比如发射结正偏,集电结反偏,三极管就可以处于放大状态.这个是大学二年级的知识,你们现在要学,也太夸张了,物理基础根本不够.
答：在PN结中加上正偏压后，P区就会接收来自电源的正电荷，N区就会向电源释放电子，这样就会增加P区的厚度，同时减小N区的厚度。由于耗尽层的宽度主要取决于PN结两端的势垒，所以当加上正偏压时，耗尽层的宽度会缩小。相反，当PN结加上反向偏压时，势垒会增大，耗尽层的宽度也会相应的增加。这是因为在反向...
答：件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如右图所示。2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解：(a) 反向偏压增加，造成电容减少；(b) 反向...
答：当pn结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为二极管的反向击穿现象。一、如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的...
答：受变容二极管在调制电压为零时的直流电压Uo影响电压越大，斜率越小，电压改变则相应的电容Co改变，根据fo=1/2π根号LCo得出频率变化。则斜率改变。结论：与电压，斜率，电容有关。同时也受电压，斜率，电容因素影响。
答：当PN节加正向偏压时，P正N负，耗尽层减小，N区的电子在电场作用下漂移到P区，P区的空穴漂移到N区。同时，由于P区的空穴浓度大于N区空穴的浓度，因此P区的空穴也会扩散到N区，N区电子浓度大于P区电子浓度，N区电子扩散到P区。在正向偏压下，漂移电流远大于扩散电流，而在反向偏压下，扩散电流要远...
答：三极管的工作原理 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从...
答：反之就为反偏 。三极管同样如此。三极管有两个PN结，以NPN型管为例，基极和发射极相当于一个PN结二极管，所以要在基极施加一定的正电压，使其有一电流（基极电流）通过基极流到发射极。由于基极和发射极之间的PN结加上的是正向偏压，所以有多数载流子流动。三极管的集电极和基极的PN必须结施加反向偏压（反...
答：pn结不导通有两种情况，一是pn结两端加了反向偏置电压，二是pn结两端虽然加了正向偏置电压，但是电压幅度不够，没有达到或超过正向导通的死区电压。二极管正向导通的死区电压依二极管的材料不同而不同，硅二极管0.5v，锗二极管0.2v。
网友评论：
厍影17033306892：
什么叫三极管的正向偏压
28410廉垂
： NPN型三极管的电流方向为由B、C极流向E极.当需要管子工作时,需给B极加上一个可以使电流正向流动的电压.这个电压就是正向偏压,电压值的大小需计算确定.当需要管子完全截止无电流时,为可靠截止,就需要加上一个负的电压.这...
厍影17033306892：
P——N结正向偏置电压与反向偏置电压的区别
28410廉垂
： 这里,PN结就是个二极管了,当加上的偏置电压与二极管极性相同,则这个偏置电压就叫正向偏置电压,反之就叫反向偏置电压; 当二极管加上正向偏置电压足够大时(压差>0.6V),会使二极管导通; 当二极管加上反向偏置电压时,会使二极管保持截止; 当反向偏置电压足够大时,会使二极管发生击穿现象,或损坏,或开始稳压---必须是稳压管才具备此特性
厍影17033306892：
在图示机构中,哪个是正偏置?哪个是负偏置 -
28410廉垂
： 反向偏置电压就是指三极管的两个电极之间的PN结所施加的电压极性与PN结极性相反的电压;正向偏置电压就是指三极管的两个电极之间的PN结所施加的电压极性与PN结极性相同的电压;比如:集电结反偏就是指C和B之间的PN结两端有一个反向偏置电压.对于NPN型,则Vc>Vb,对于PNP型,则Vc
厍影17033306892：
二极管PN结反偏问题 -
28410廉垂
：pn结的形成与单向导电性 几乎所有的半导体器件都是由不同数量和结构的pn结构成的, 因此, 我们先来了解pn结的结构与特点. 1. pn结的形成 在一块本征半导体上通过某种掺杂工艺, 使其形成n型区和p型区两部分后, 在它们的交界处就形...
厍影17033306892：
外加正向偏压为V时,势垒区中EFn比EFp高 - 上学吧普法考试
28410廉垂
： P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏.此时PN结如同一个开关合上,呈现很小的电阻,称之为导通状态. P端接电源的负极,N端接电源的正极称之为PN结反偏,此时PN结处于截止状态,如同开关打开.结电阻很大,当反向...
厍影17033306892：
什么叫PN结、正向导通、正偏电压、反偏电压?有没有遇到8V以上的电压便会导通的开关二极管? -
28410廉垂
： PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域.当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时,电流可从P区流向N区,这就是正向导通.这样接法就是正偏,PN结正向导通电压小于1V.
厍影17033306892：
PN结正向偏置时电阻(),反向偏置时电阻(),这种特性称为PN结的(),但是当硅材料的PN结正向偏压小于 -
28410廉垂
： 向偏置呈低阻导电状态反向偏置呈现高阻近似导电状态理想条件认PN结具单向导电性——向偏置导通反向偏置截止
