push+pull+p+n沟道
答：1972年4月,霍夫等人开发出第一个8位微处理器Intel 8008。由于8008采用的是P沟道MOS微处理器,因此仍属第一代微处理器。 1973年intel公司研制出8位的微处理器8080;1973年8月,霍夫等人研制出8位微处理器Intel 8080,以N沟道MOS电路取代了P沟道,第二代微处理器就此诞生。 主频2MHz的8080芯片运算速度比8008快10...
答：场效应管 field-effect transistor (FET) P沟道 p-channel N沟道 n-channel 结型场效应管 junction FET(JFET) 金属氧化物半导体 metal-oxide semiconductor (MOS) 耗尽型MOS场效应管 depletion mode MOSFET(D-MOSFET) 增强型MOS场效应管 enhancement mode MOSFET(E-MOSFET) 源极source 栅极grid 漏极drain 跨导tra...
答：因为这种电路三极管工作于线性放大区域，所以线号失真率极小，且电压和电流增益最大，这种电路一般应用于前级放大使用，比如高保真音频放大器的前级发烧友常用这种电路配以不同的偏置电路来达到较小失真的音频信号，
答：62 P-channel MOSFET P沟道MOSFET 63 Phase margin 相位裕度 64 Phase Node 开关节点 65 portable electronics 便携式电子设备 66 power down 掉电 67 Power Good 电源正常 68 Power Groud 功率地 69 Power Save Mode 节电模式 70 Power up 上电 71 pull down 下拉 72 pull up 上拉 73 Pulse ...
答：JFET N N沟道场效应管 JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡 LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表 MICROPHONE 麦克风 MOSFET MOS管 MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门 NPN NPN三极管 NPN-PHOTO 感光三极管 OPAMP 运放 OR 或门 PHOTO 感光二极管 PNP 三极管 NPN...
答：(FET) P沟道 p-channel N沟道 n-channel 结型场效应管 junction FET(JFET) 金属氧化物半导体 metal-oxide semiconductor (MOS) 耗尽型MOS场效应管 depletion mode MOSFET(D-MOSFET) 增强型MOS场效应管 enhancement mode MOSFET(E-MOSFET) 源极 source 栅极 grid 漏极 drain 跨导 transconductance 夹断电压 pinch...
答：62 P-channel MOSFET P沟道MOSFET 63 Phase margin 相位裕度 64 Phase Node 开关节点 65 portable electronics 便携式电子设备 66 power down 掉电 67 Power Good 电源正常 68 Power Groud 功率地 69 Power Save Mode 节电模式 70 Power up 上电 71 pull down 下拉 72 pull up 上拉 73 Pulse by Pulse ...
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答：62 P-channel MOSFET P沟道MOSFET 63 Phase margin 相位裕度 64 Phase Node 开关节点 65 portable electronics 便携式电子设备 66 power down 掉电 67 Power Good 电源正常 68 Power Groud 功率地 69 Power Save Mode 节电模式 70 Power up 上电 71 pull down 下拉 72 pull up 上拉 73 Pulse by Pulse ...
网友评论：
仰邰19356489328：
场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
5680扈瑗
： 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通谢谢采纳
仰邰19356489328：
P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
5680扈瑗
： 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
仰邰19356489328：
关于主板上N沟道场效应管和P沟道场效应管的导通截止问题? -
5680扈瑗
： 有上管和下管,你说的是PWM. 一般这个模式是用来转换电压的,电平的话,不会采用PWM模式.就拿最简单的CPU供电吧.上管的D极输入是12V,然后电源IC,控制上下管轮流导通,输出CPU主供电.上管的S极和下管的D极,和电感是直连的.这个导通条件,其实可以简单理解为:N沟通是高电平导通,P沟通是低电平导通.另外提醒一下,要区分电压和电平,两者是不一样的.
仰邰19356489328：
MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道 -
5680扈瑗
： 指针表判断N-P沟方法(10K档):N沟MOS管:红表笔接(D),黑表笔接(S),指针满偏.P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反.数字表判断N-P沟方法(二极管档):N沟MOS管:黑表笔接(D),红表笔接(S),显示500左右数字.P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反.备注:D就是外壳.
仰邰19356489328：
MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
5680扈瑗
： 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
仰邰19356489328：
请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法 -
5680扈瑗
： 你看看这个图. http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.
仰邰19356489328：
场效应管分为N沟道和P沟道,它的导通条件分别是什么?
5680扈瑗
： 都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通.对N沟道G极电压为+极性.对P沟道的G极电压为-极性.
仰邰19356489328：
MOS管什么时候选P沟道 N沟道?下面的选择方法对吗,为什么 -
5680扈瑗
： 嗯,可以这么理解. 同时你也可以从驱动信号的特性上去理解.一般的MOS管都是增强型,而现实中驱动信号往往会表现为正电压,这时候用N沟道MOS管会方便很多,因为它只要正电压就可以驱动了.而P沟道需要负电压才能开启,实际使用起来会比N沟道麻烦一些.
仰邰19356489328：
场效应管N沟道和P沟道怎样区分?? -
5680扈瑗
： 1.对于主板上来说,常用的场管为3055,15N03,45N03,60N03,还有70N03 2,3.说个简单的给你 黑表笔接D极,红表笔接S极,有500欧左右的阻值为N沟 红表笔接D极,黑表笔接S极,有500欧左右的阻值为P沟 4.至于代换,N沟代换N沟,P沟代换P沟,还有最好是使用相同型号或者是功率大一些的来代换(一般修主板的基本备用是60N03这个型号)
仰邰19356489328：
讨论:降压型二次电源都是用P沟道场效应管吗? -
5680扈瑗
： 不一定,但只要根据N沟或P沟管的物理特性,稍加变动,都可运用于降压型电路. P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位. 栅极电位比漏极电位低得越多,就越趋于导通.一般低于漏极电位15V就可以完全导通.压差太...
