NMOS中p衬底中的怎么会有自由电子移动到栅极下呢？
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空乏层..其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 所以不知道你说的 这个是哪一个
NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动
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MOS器件分为NMOS和PMOS,而CMOS是指互补的MOS管组成的电路，也就是PMOS,NMOS组成,NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动
PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动
CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。当然Bipolar的驱动能力比CMOS强
目前BiCMOS工艺就是结合了CMOS和Bipolar的优点
楼上，不懂半导体物理就不要乱答，嘿嘿。 楼主的问题牵扯到半导体物理，不是仅仅是器件特性哦。
嘿嘿，楼主半导体物理没有好好学啊~~~
p型半导体中虽然是空穴为主要载流子，但是自由电子是存在的。只不过空穴的数量( 称为多子）大於自由电子（少子）的数量。擧简单的例子，我们高中化学的知识裏，酸性溶液并不意味溶液中只有氢离子而没有氢氧根离子。他们是处於化学平衡状态，只不过氢离子的数量大於氢氧根离子数量。同样空穴和电子的复合和产生也是动态平衡过程。他们不是孤立存在的。在p型半导体裏，只不过空穴的浓度比自由电子大几个数量级而已。在加上正栅压后，沟道开始反型，这点可以简单用吸引来解释，也可以画枯燥无味的能带图解释。
第二个问题我还是不太清楚，能否把问题表述详细一点。
nmosfet中，衬底本来就是n-p-n结构，有两个反向的pn结，当然有空乏层...
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