场效应管8N60C的参数及代换 8n60C场效应管可用什么型号场效应管代替
\u573a\u6548\u5e94\u7ba1cs8n60\u7528\u4ec0\u4e48\u578b\u53f7\u7ba1\u5b50\u4ee3\u6362\u573a\u6548\u5e94\u7ba1cs8n60\u752810n60\u578b\u53f7\u7ba1\u5b50\u4ee3\u6362\u3002
\u573a\u6548\u5e94\u7ba1cs8n60\u53c2\u6570\uff1a8n60\uff0c7.5A\uff0c600V\uff0cRDS=1.2\u6b27\u300210n60\u53c2\u6570\uff1a10A\uff0c600V\uff0cRDS=0.73\u6b27\u3002
\u573a\u6548\u5e94\u6676\u4f53\u7ba1\u7b80\u79f0\u573a\u6548\u5e94\u7ba1\u3002\u4e3b\u8981\u6709\u4e24\u79cd\u7c7b\u578b\u548c\u91d1\u5c5e - \u6c27\u5316\u7269\u534a\u5bfc\u4f53\u573a\u6548\u5e94\u7ba1\u3002\u7531\u591a\u6570\u8f7d\u6d41\u5b50\u53c2\u4e0e\u5bfc\u7535\uff0c\u4e5f\u79f0\u4e3a\u5355\u6781\u578b\u6676\u4f53\u7ba1\u3002\u5b83\u5c5e\u4e8e\u7535\u538b\u63a7\u5236\u578b\u534a\u5bfc\u4f53\u5668\u4ef6\u3002\u5177\u6709\u8f93\u5165\u7535\u963b\u9ad8\uff08107\uff5e1015\u03a9\uff09\u3001\u566a\u58f0\u5c0f\u3001\u529f\u8017\u4f4e\u3001\u52a8\u6001\u8303\u56f4\u5927\u3001\u6613\u4e8e\u96c6\u6210\u3001\u6ca1\u6709\u4e8c\u6b21\u51fb\u7a7f\u73b0\u8c61\u3001\u5b89\u5168\u5de5\u4f5c\u533a\u57df\u5bbd\u7b49\u4f18\u70b9\uff0c\u73b0\u5df2\u6210\u4e3a\u53cc\u6781\u578b\u6676\u4f53\u7ba1\u548c\u529f\u7387\u6676\u4f53\u7ba1\u7684\u5f3a\u5927\u7ade\u4e89\u8005\u3002\u573a\u6548\u5e94\u7ba1\uff08FET\uff09\u662f\u5229\u7528\u63a7\u5236\u8f93\u5165\u56de\u8def\u7684\u7535\u573a\u6548\u5e94\u6765\u63a7\u5236\u8f93\u51fa\u56de\u8def\u7535\u6d41\u7684\u4e00\u79cd\u534a\u5bfc\u4f53\u5668\u4ef6\uff0c\u5e76\u4ee5\u6b64\u547d\u540d\u3002\u7531\u4e8e\u5b83\u4ec5\u9760\u534a\u5bfc\u4f53\u4e2d\u7684\u591a\u6570\u8f7d\u6d41\u5b50\u5bfc\u7535\uff0c\u53c8\u79f0\u5355\u6781\u578b\u6676\u4f53\u7ba1\u3002
\u4e09\u6781\u7ba1\u578b\u53f78N60C\u4e0e\u90a3\u79cd\u4e09\u6781\u7ba1\u4ee3\u6362
场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
场效应管代换只需大小相同，分清N沟道P沟道即可，功率大的可以代换功率小的，一般情况下都用同样型号的进行代换，避免其他的问题。
扩展资料
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
参考资料来源：百度百科-场效应管
参考资料来源：百度百科-FQPF8N60C
8N60顾名思义是8A600V的N沟道MOS场效应管。
可用8N80，10N60，11N60等代换。
8N60C参数是8A，600V。
代换可用SSS7N60B、T2SK2545、IRFBC40、STP8NK60ZFP、8N6O 8A600V、10N60、8N80、10N60、11N60都可以。
楼上有理
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