三星20nm 8GB DDR4内存已经开始量产，何时推出128GB版本？

三星引领业界，20nm 8GB DDR4内存开始量产

在内存容量普遍提升到16GB和32GB的今天，三星以其强大的技术实力，再次刷新了行业的标准。全球最大半导体供应商三星日前宣布，他们已经开始批量生产两种高端内存模块：8GB DDR4内存芯片和32GB内存模块，这标志着内存技术的一大飞跃。

8GB DDR4内存，虽看似只有1GB的储存空间，但通过20nm的先进制造工艺，三星成功缩小了体积，提高了密度。过去4GB芯片最多只能达到64GB，但三星引入了3D TSV硅穿孔封装技术，使得新的8GB DDR4不仅可扩展至64GB，甚至可达128GB的容量，技术革新明显。

三星新品的20nm 8GB DDR4内存集高性能、高密度和高能效于一身，专为企业用户设计。预计不久，我们将在主板和内存PCB板上看到企业的大规模采购。新的32GB DDR4内存模块的传输速度提升至2400Mbps，相比上一代DDR3，性能提升29%，特别适合企业级数据中心和云存储设备，供电需求低至1.2v，节能效果显著。

目前，三星的这两个新产品已经开始供应，价格根据订单规模提供给企业客户。同时，三星还提供基于20nm工艺的4GB DDR3和6GB LPDDR3内存，以满足不同市场的需求。不出意外，三星将紧随其后，通过3D TSV技术，推出最大达128GB容量的DDR4内存，进一步巩固其在内存市场的领先地位。

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