如下图，NMOS管的工作状态是怎样的？ 图中的MOS管是如何工作的？
\u5982\u56fe\u6240\u793a\u7684mos\u7ba1\u7684\u5de5\u4f5c\u539f\u7406\u662f\u600e\u4e48\u6837\u7684\uff1fMOS\u7ba1\u7684\u5de5\u4f5c\u539f\u7406(\u4ee5N\u6c9f\u9053\u589e\u5f3a\u578bMOS\u573a\u6548\u5e94\u7ba1)\u5b83\u662f\u5229\u7528VGS\u6765\u63a7\u5236\u201c\u611f\u5e94\u7535\u8377\u201d\u7684\u591a\u5c11\uff0c\u4ee5\u6539\u53d8\u7531\u8fd9\u4e9b\u201c\u611f\u5e94\u7535\u8377\u201d\u5f62\u6210\u7684\u5bfc\u7535\u6c9f\u9053\u7684\u72b6\u51b5\uff0c\u7136\u540e\u8fbe\u5230\u63a7\u5236\u6f0f\u6781\u7535\u6d41\u7684\u76ee\u7684\u3002\u5728\u5236\u9020\u7ba1\u5b50\u65f6\uff0c\u901a\u8fc7\u5de5\u827a\u4f7f\u7edd\u7f18\u5c42\u4e2d\u51fa\u73b0\u5927\u91cf\u6b63\u79bb\u5b50\uff0c\u6545\u5728\u4ea4\u754c\u9762\u7684\u53e6\u4e00\u4fa7\u80fd\u611f\u5e94\u51fa\u8f83\u591a\u7684\u8d1f\u7535\u8377\uff0c\u8fd9\u4e9b\u8d1f\u7535\u8377\u628a\u9ad8\u6e17\u6742\u8d28\u7684N\u533a\u63a5\u901a\uff0c\u5f62\u6210\u4e86\u5bfc\u7535\u6c9f\u9053\uff0c\u5373\u4f7f\u5728VGS=0\u65f6\u4e5f\u6709\u8f83\u5927\u7684\u6f0f\u6781\u7535\u6d41ID\u3002\u5f53\u6805\u6781\u7535\u538b\u6539\u53d8\u65f6\uff0c\u6c9f\u9053\u5185\u88ab\u611f\u5e94\u7684\u7535\u8377\u91cf\u4e5f\u6539\u53d8\uff0c\u5bfc\u7535\u6c9f\u9053\u7684\u5bbd\u7a84\u4e5f\u968f\u4e4b\u800c\u53d8\uff0c\u56e0\u800c\u6f0f\u6781\u7535\u6d41ID\u968f\u7740\u6805\u6781\u7535\u538b\u7684\u53d8\u5316\u800c\u53d8\u5316
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\u5149\u8026\u4e0d\u901a\u65f6\uff0cmos\u7ba1G\u7aef\u7535\u538b\u7b49\u4e8e\u9ad8\u7535\u4f4d\uff0c\u622a\u6b62\u3002
\u5f53\u5149\u5076\u5bfc\u901a\u65f6\uff0cmosG\u7aef\u7535\u538b\u964d\u4f4e\uff0cmos\u7ba1\u5bfc\u901a\u3002
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这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；
另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
3. MOS管工作原理--MOS管的特性
3.1MOS管的输入、输出特性
对于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为0。
当VGS
3.2MOS管的导通特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。下面以NMOS管为例介绍其特性。
图 (a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
4. MOS管工作原理
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些
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