ctm是什么意思
通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。
影响CTM的因素很多，包括：
A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。
B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。
C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档，低效片混入)。
D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。
E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。
F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。
影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。
光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。
本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。
如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。
与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。
在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。
在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。
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