场效应管k40t120可以代替fgl40n120吗
不可以。参数不一样，因为电压支持不同，所以粗细规格也不同。
40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。
利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，仅靠半导体中的多数载流子导电，FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
扩展资料：
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
参考资料来源：百度百科-场效应管
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