ASML下一代EUV光刻机性能提升70%后，将于何时量产？
ASML的第二代EUV光刻机研发进展：性能提升70%，2025年将面世在半导体制造的精密工艺中，光刻是关键且昂贵的一环，占据生产成本的三分之一，EUV光刻机因此被视为不可或缺的顶级设备。ASML的EUV光刻机目前处于行业领先地位，每台售价超过1亿美元，尽管需求旺盛，但产量仍有提升空间，特别是在7nm和5nm节点的生产中起着决定性作用。
ASML的雄心勃勃表现在其对光学镜头研发的投入上，2016年收购德国蔡司公司股份并与之合作，目标直指下一代EUV光刻机的研发。新一代的亮点在于采用High NA（高数值孔径）透镜，这一技术将使得光刻机的核心指标，如微缩分辨率和套准精度，分别提升70%，以满足行业对几何式芯片微缩的更高要求。
ASML与IMEC比利时微电子中心的联手，预示着NA数值孔径将从0.33提升至0.5以上，这将直接提升光刻机的分辨率。根据光刻机分辨率的公式，NA数值的增加对分辨率提升至关重要。尽管ASML原定于2024年量产新一代EUV光刻机，但最新消息显示，这一时间将推迟至2025年，那时台积电和三星可能已进入3nm工艺，并且可能已经迈入2nm和1nm节点的生产阶段。
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