k40t1202和fgl40n120这两个igbt都是参数一样吗？为什么体积大小不一样？ 场效应管k40t120可以代替fgl40n120吗
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参数不一样，因为电压支持不同，所以粗细规格也不同。
40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。
扩展资料：
输出特性与转移特性：
IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。
IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。
IGBT与MOSFET的对比：
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
参考资料来源：百度百科-IGBT
参数不一样，因为电压支持不同，所以粗细规格也不同。
40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。
扩展资料
IGBT工作方法
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率。
因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
参考资料：百度百科——IGBT
不行 我现有这两种一模一样的管子 前者是MOS管 后者是IGBT 可以用40G120HD代替fgl40n120
一个是英飞凌的 一个是仙童的 参数一样 封装不同 英飞凌的是to-247 仙童是to-264 要大些 你要买的话找我 资料有联系方式
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