mos晶体管结构及工作原理 NMOS晶体管的工作原理
MOS\u6676\u4f53\u7ba1\u5de5\u4f5c\u539f\u7406MOS\u6676\u4f53\u7ba1\uff0c\u4e5f\u5c31\u662f\u7edd\u7f18\u6805\u573a\u6548\u5e94\u6676\u4f53\u7ba1\uff0c\u53c8\u53eb\u91d1\u5c5e-\u6c27\u5316\u7269-\u534a\u5bfc\u4f53\u573a\u6548\u5e94\u6676\u4f53\u7ba1\uff0c\u5229\u7528\u534a\u5bfc\u4f53\u7684\u573a\u6548\u5e94\uff0c\u8fdb\u884c\u4fe1\u53f7\u653e\u5927\u3002\u5c31\u662f\u5229\u7528\u6805\u6781\u63a7\u5236\u7535\u538b\u5f62\u6210\u7684\u7535\u573a\uff0c\u6765\u63a7\u5236\u6c9f\u9053\u91cc\u611f\u5e94\u7535\u8377\u7684\u591a\u5c11\uff0c\u8fdb\u800c\u6539\u53d8\u5bfc\u7535\u6c9f\u9053\u7684\u72b6\u6001\uff0c\u8fbe\u5230\u63a7\u5236\u6f0f\u6781\u7535\u6d41\u7684\u6548\u679c\u3002\u6839\u636e\u5236\u4f5c\u65b9\u6cd5\u4e0d\u540c\uff0c\u6709\u4e24\u79cd\u7c7b\u578b\u3002\u4e00\u79cd\u57280\u63a7\u5236\u7535\u538b\u4e0b\u6ca1\u6709\u6f0f\u6781\u7535\u6d41\uff0c\u4e3a\u589e\u5f3a\u578b\uff0c\u4e00\u79cd0\u63a7\u5236\u7535\u538b\u4e5f\u4f1a\u6709\u8f83\u5927\u7684\u6f0f\u6781\u7535\u6d41\uff0c\u4e3a\u8017\u6563\u578b\u3002\u56e0\u4e3a\u6805\u6781\u662f\u7edd\u7f18\u7684\uff0c\u53ea\u7528\u7535\u538b\u63a7\u5236\uff0c\u6ca1\u6709\u7535\u6d41\uff0c\u6240\u4ee5\u8f93\u5165\u963b\u6297\u5f88\u9ad8\uff0c\u6709\u70b9\u8c61\u7535\u5b50\u7ba1\u3002\u56e0\u6b64\u4e5f\u5c31\u6ca1\u6709\u4e00\u822c\u6676\u4f53\u7ba1\u7684\u7535\u6d41\u653e\u5927\u500d\u6570\uff0c\u6709\u4e00\u4e2a\u8861\u91cf\u653e\u5927\u80fd\u529b\u7684\u53c2\u6570\uff0c\u7535\u5b50\u7ba1\u53eb\u8de8\u5bfc\uff0c\u8fd9\u91cc\u53eb\u4ec0\u4e48\u4e0d\u8bb0\u5f97\u4e86\u3002\u4e0d\u597d\u610f\u601d\u3002 \u4ee5\u4e0a\u662f\u672c\u4eba\u7684\u7406\u89e3\u548c\u8bb0\u5fc6\uff0c\u4e0d\u77e5\u662f\u5426\u7b26\u5408\u4f60\u7684\u8981\u6c42\uff1f\u4f46\u613f\u80fd\u6709\u6240\u5e2e\u52a9\u3002
\u3000\u3000NMOS\u6676\u4f53\u7ba1\u7684\u5de5\u4f5c\u539f\u7406\uff1a
\u3000\u3000\u5728\u4e00\u5757\u63ba\u6742\u6d53\u5ea6\u8f83\u4f4e\u7684P\u578b\u7845\u886c\u5e95\uff08\u63d0\u4f9b\u5927\u91cf\u53ef\u4ee5\u52a8\u7a7a\u7a74\uff09\u4e0a\uff0c\u5236\u4f5c\u4e24\u4e2a\u9ad8\u63ba\u6742\u6d53\u5ea6\u7684N+\u533a(N+\u533a\u57df\u4e2d\u6709\u5927\u91cf\u4e3a\u7535\u6d41\u6d41\u52a8\u63d0\u4f9b\u81ea\u7531\u7535\u5b50\u7684\u7535\u5b50\u6e90)\uff0c\u5e76\u7528\u91d1\u5c5e\u94dd\u5f15\u51fa\u4e24\u4e2a\u7535\u6781\uff0c\u5206\u522b\u4f5c\u6f0f\u6781D\u548c\u6e90\u6781S\u3002\u7136\u540e\u5728\u534a\u5bfc\u4f53\u8868\u9762\u8986\u76d6\u4e00\u5c42\u5f88\u8584\u7684\u4e8c\u6c27\u5316\u7845(SiO2)\u7edd\u7f18\u5c42\uff0c\u5728\u6f0f\u2014\u2014\u6e90\u6781\u95f4\u7684\u7edd\u7f18\u5c42\u4e0a\u518d\u88c5\u4e0a\u4e00\u4e2a\u94dd\u7535\u6781\uff08\u901a\u5e38\u662f\u591a\u6676\u7845\uff09,\u4f5c\u4e3a\u6805\u6781G\u3002\u5728\u886c\u5e95\u4e0a\u4e5f\u5f15\u51fa\u4e00\u4e2a\u7535\u6781B\uff0c\u8fd9\u5c31\u6784\u6210\u4e86\u4e00\u4e2aN\u6c9f\u9053\u589e\u5f3a\u578bMOS\u7ba1\u3002MOS\u7ba1\u7684\u6e90\u6781\u548c\u886c\u5e95\u901a\u5e38\u662f\u63a5\u5728\u4e00\u8d77\u7684\u3002
\u3000\u3000NMOS\u6676\u4f53\u7ba1\u7b80\u4ecb\uff1a
\u3000\u3000NMOS\u82f1\u6587\u5168\u79f0\u4e3a\uff1aN-Mental-Oxide-Semiconductor\u3002 \u610f\u601d\u4e3aN\u578b\u91d1\u5c5e-\u6c27\u5316\u7269-\u534a\u5bfc\u4f53\uff0c\u800c\u62e5\u6709\u8fd9\u79cd\u7ed3\u6784\u7684\u6676\u4f53\u7ba1\u6211\u4eec\u79f0\u4e4b\u4e3aNMOS\u6676\u4f53\u7ba1\u3002 MOS\u6676\u4f53\u7ba1\u6709P\u578bMOS\u7ba1\u548cN\u578bMOS\u7ba1\u4e4b\u5206\u3002\u7531MOS\u7ba1\u6784\u6210\u7684\u96c6\u6210\u7535\u8def\u79f0\u4e3aMOS\u96c6\u6210\u7535\u8def\uff0c\u7531NMOS\u7ec4\u6210\u7684\u7535\u8def\u5c31\u662fNMOS\u96c6\u6210\u7535\u8def\uff0c\u7531PMOS\u7ba1\u7ec4\u6210\u7684\u7535\u8def\u5c31\u662fPMOS\u96c6\u6210\u7535\u8def\uff0c\u7531NMOS\u548cPMOS\u4e24\u79cd\u7ba1\u5b50\u7ec4\u6210\u7684\u4e92\u8865MOS\u7535\u8def\uff0c\u5373CMOS\u7535\u8def\u3002
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
3. MOS管工作原理
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
本视频演示了双极结型晶体管（BJT）的工作，实际应用包括晶体管作为放大器,以及开关。视频内容包括:硅原子的结构、掺杂、N型掺杂、P型掺杂、二极管的工作原理、NPN晶体管的工作和双级放大等。
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