台积电3nm工艺何时能超越三星并开始量产？
台积电3nm工艺提前公布：FinFET技术引领先进潮流在2020年半导体行业受疫情冲击的背景下，台积电凭借其先进的7nm和5nm工艺，业务反而实现了增长。在今天的财报会议上，台积电首次正式对外揭示了3nm工艺的详细情况，预计将于2022年下半年开始大规模生产，原定于4月的技术论坛已延期至8月。
尽管3nm研发计划按部就班，不受疫情影响，台积电已宣布3nm工艺将在2021年进入风险试产阶段，并将沿用FinFET晶体管技术作为首发，以保持成本效益和能效的优势。面对三星的3nm竞争，三星选择更为激进的技术路线，采用GAA环绕栅极晶体管，但目前量产时间推迟到2022年。
三星宣称，3nm工艺相较于7nm FinFET工艺，性能提升30%，能耗减少50%。然而，这是否意味着3nm将成为CPU等芯片的终极工艺，目前尚无定论。随着技术的逼近，硅基半导体的极限似乎在3nm处，台积电虽然曾计划推进到2nm和1nm，但这些仍停留在理论层面，实际应用面临诸多挑战。
因此，3nm工艺的到来可能标志着一个技术瓶颈，它可能是未来CPU等芯片性能提升的最后一步。这不仅反映了科技的前沿竞争，也预示着半导体行业对更高效能、更小尺寸工艺的持续探索。
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