N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管分别在何种条件下工作在恒流区和可变电阻区？求解答谢谢！ N沟道和P沟道MOS管工作在不同区域的条件分别是什么呢？
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可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段
而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。请看下图。
1）可变电阻区（也称非饱和区）
满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。
2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）
满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），为图中预夹断轨迹右边、但尚未击穿的区域，在该区域内，当uGs一定时，ib几乎不随UDs而变化，呈恒流特性。i仅受UGs控制，这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源。场效应管用于放大电路时，一般就工作在该区域，所以也称为放大区。
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