半导体litho和etch区别
答：区别在于工艺研发不同。etch意思是干法刻蚀，lithography，litho，photo都指光刻。etch只负责etch工艺研发，litho只负责litho工艺研发。工艺部门最好的是litho第二是etch。一般半导体研发中litho在前，etch在后。litho曝光完成对图案的传递后，再利用etch蚀刻技术把图案转移到光刻胶下面的film中。
答：探索半导体工艺工程师的光明未来：前景解析与职业选择半导体行业的技术领域极其广泛，而半导体工艺工程师的角色则多种多样，尤其在硅基芯片的生产流程中，他们的重要性不言而喻。在FAB（晶圆制造厂）中，这些工程师根据他们的专业技能，主要分为几个关键环节：Litho（光刻）、ETCH（蚀刻）、WET（湿法/干法蚀...
答：pe好。工艺工程师(PE):一般来说，工艺工程师的职位是按照工艺模块来分类的，比如CMP/CVD/PVD/Litho/dry etch/wet process/division等。CMP PE只负责CMP相关的生产工艺，而Litho PE自然只负责Litho相关的工艺。是PE晶圆厂的核心岗位之一，但平时工作内容很多，所以一涉及到技术就要涉及到PE。
答：厂务 财务 工程 设备 采购 研发 制造 市场 客服 品保 人力资源部 生产管理
网友评论：
薄方18450792673：
半导体物理中“空间电荷区”、“耗尽层”、“势垒区”三者的含义一样吗? -
1156夏先
： 显然不一样. 这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方,空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域,而耗尽层则相反.势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域.
薄方18450792673：
三极管工作在哪个区是怎么确定的??? -
1156夏先
： 根据基极和发射极电压大小确定. 如果基极和发射极电压小于导通电压为截止区.硅0.7,锗0.2v,如果大于导通电压小于Uceo,就是放大区,大于Uceo就是饱和区. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.
薄方18450792673：
什么是半导体的阱区 -
1156夏先
： 半导体一般可分为本征半导体,N型半导体以及P型半导体 分别代表无杂质掺杂,掺杂N型杂质(P,As)和掺杂P型杂质(B,Ga). 如果在N型衬底上扩散P型区,就叫做P阱区; 如果在P型衬底上扩散N型区,就叫做N阱区;
薄方18450792673：
半导体二极管有哪些特性? -
1156夏先
： 阳极:由P区引出的电极为阳极.阴极:由N区引出的电极为阴极.点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路.面接触型二极管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路.平面型二极管,结面积...
薄方18450792673：
5. 半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即 区、 区、 区;当三极管工作在 区时,UCE≈0;当三极 -
1156夏先
： 1.三极管饱和状态 三极管饱和后,C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs/Ics,UcEs很小,Ics最大,故饱和电阻RcEs很小.所以说三极管饱和后C、E问视为短路2.三极管截止状态 三极管截止后,C、E间的截止电阻Rce=UcE/Ic,UcEs很大,等于电源 电压,Ics极小,C、E间电阻RcE很大,所以,三极管截止后C、E间视为开路3.三极管放大状态 基极电流必须为:0<IB<IBs
薄方18450792673：
半导体二极管的扩散区在哪? -
1156夏先
： 首先得先了解pn结的形成.在N型半导体和P型半导体的结合面上,因浓度差所以多子的扩散运动;自由电子与空穴复合,此时由杂质离子形成空间电荷区(p区是负电荷,n区是正电荷),便有n指向p的内电场,阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡.在P型半导体和N型半导体的结合面处,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区(耗尽层)称为PN结.当在pn结(二极管)两端加正向电压时,内电场减弱,多子扩散大于少子漂移,使得载流子越过耗尽层,进入对面,并与其相反电荷载流子复合,形成扩散区(p区、n区各有一个).
薄方18450792673：
半导体的击穿区是什么意思 -
1156夏先
： 半导体击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿,齐纳击穿为半导体特性,雪崩击穿为导体特性.
薄方18450792673：
半导体二极管为什么具有单向导电性?
1156夏先
： 因为晶体二极管是用硅(Si)或锗(Ge)半导体材料制造的,所谓半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的物体.它内部是在硅或锗单晶基片上,加工出P型区和相邻的N型区即PN结正向偏置时,电阻很小,外于导通状态,PN结反向偏置时,电阻很大,外于截止状态.综上所述,晶体二极管是用硅或锗材料制造的半导体器件,它的内部是一个具有单向导电性的PN结,所以二极管具有单向导电性.
薄方18450792673：
根据多数载流子的差异分为 - ---------半导体和----------半导? -
1156夏先
： N型半导体和P型半导体. 掺入杂质后的半导体中仍然同时具有电子和空穴这两种载流子,只是各自数量不同.在N型半导体中,电子(带负电荷)居多,叫多数载流子,空穴(带正电荷)叫少数载流子.在P型半导体中,则反之:空穴为多数载流子,电子为少数载流子;可以分别简称为“多子”、“少子”.
薄方18450792673：
半导体相关知识 -
1156夏先
： 1、铜的成本要比铝高得多,从成本考虑当然是铝. 2、铝的延展性很好,当然,铜的也不错.现代集成电路要求零点几个微米到几个纳米的尺寸,延展性还是很重要的. 3、铜的电导率高于铝,在半导体器件中大多数情况下会忽略这一影响(互连线不会特别的长);但面对特殊要求是就会选择铜,正如楼主所言.
