场效应管的原理图
答：2．电源的极性和大小应保证BJT发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置，使BJT工作在放大区。(对于场效应管放大电路，则应使之工作在恒流区)。3．电路中电阻的取值与电源电压配合，使BJT有合适的静态工作点，避免产生非线性失真。4．输入信号要有效传输，且能作用于放大管的输入回路。5．接入负载时，...
答：简单讲就是MOS管是受控半导体，二极管是不受控的单向导通半导体 MOS管原理可查任何半导体物理书，我简单说明原理：以N沟道MOS为例，当栅极G输入电压超过导通门限后，DS两级之间开始导通，导通电流受栅极电压控制，呈线性变化，当栅极电压进一步升高，超过线性区后，我们称为完全导通或者处于开关状态，MOS管...
答：2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的...
答：是结型场效应管吧？见附图
答：简单点说：P点相当于很高的水位，N点相当于很低的水位，P点的水一直想往N点流动，但有一个开关控制着，L点相当于控制开关 L点有电压（并且达到理想值）就可以控制开关,画个图给你看一下
答：首先说二极管，在这里起到吸收继电器的反峰压保护场效应管的作用。场效应管IRF510在这里就是控制继电器J1的电子开关，当场效应管的栅极（G）加高电平时，场效应管的漏极（D）和源极（S）导通，继电器吸合动作，K1闭合，L1电灯亮。当效应管的栅极（G）为低电平时，场效应管的漏极（D）和源极（S...
答：目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。 六、常用场效用管1、MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达...
答：由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。向左转|向右转 一、工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就...
答：一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。 1、结型场效应管(JFET) (1)结构原理 它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极,又在硅棒的两侧各做一个P区,形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来,称为栅极Go这样就构成了...
答：NPN管判断方法如下：截止状态：Ube<0.7V； （如果是锗管则Ube<0.3V）放大状态：Ube>0.7V，Uce>Ube；饱和状态：Ube>0.7V，Uce<Ube。你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。这样， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三极管工作在饱和状态。PNP管判断...
网友评论：
芮甄17372404018：
场效应管的工作原理和基本结构是什么? -
10901浦肾
： 场效应管(FET,Field Effect Transistor)电压产生的电场来控制管子工作的.现在最常用的是MOSFET(M是金属,O是氧化物,S是半导体),三者恰好形成一个电容,中间的氧化物作为电容的电介质.电子往电势高的地方(正极)流动聚集,空...
芮甄17372404018：
你知道场效应管的工作原理吗? -
10901浦肾
： 晶体管原理,教科书上确实讲得太复杂,读起来头疼. 让我们先从场效应管说起吧: 场效应管FET,用水龙头作比喻,还是比较贴切的. 水流,可比喻为电流; 拧开龙头,放水;关闭龙头,水即停止; 以耗尽型FET为例:它是一个导电沟道(...
芮甄17372404018：
场效应管工作原理是电压控制电流吗? -
10901浦肾
： 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”.更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故.在VGS=...
芮甄17372404018：
场效应管工作原理 -
10901浦肾
： 场效应管工作原理:漏极-源极间流经沟道的ID,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID.场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
芮甄17372404018：
场效应管是个什么东西?原理作用都是什么? -
10901浦肾
： 1.场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点...
芮甄17372404018：
场效应管作为开关时的工作原理是怎么样的,谁知道? -
10901浦肾
： 以N沟道为例,场效管有G极,D极,S极,还有一个衬底,通常场效应管出厂时,S极都和衬底连接在一起了,所以我们看到一般都只有三个管脚.N沟道管,要在G和S之间加上正向电压,即G正,S地,由于G和S之间存在绝缘层,所会形成一个G指向S的电场,在电场的作用下,电子会流向G,但由于绝缘层存在,挡住了电子的运动,而在D和S之间形成一电子沟道.使D和S处于导通.所以只要GS这间的电场消失,那D和S就会回到截止状态.所以场效应管是加电产生电场而导通,没有太多电浪费.
芮甄17372404018：
结型场效应管的工作原理是什么?
10901浦肾
： 结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大
芮甄17372404018：
请问640场效应管原理图和实物图三个脚如何对应!我需要焊接上去! -
10901浦肾
： 640场效应管原理图(如图1所示)中的栅极g对应640场效应管实物图(如果所示2)中最左边的管脚; 640场效应管原理图(如图1所示)中的漏极d对应640场效应管实物图(如果所示2)的中间的管脚; 640场效应管原理图(如图1所示)中的源极s对应640场效应管实物图(如果所示2)中最右边的管脚. 图1:640场效应管原理图 图2:640场效应管实物图
芮甄17372404018：
场效应管的管脚排列规律 -
10901浦肾
： 场效应管的管脚排列规律是这样的:带字的一面面对自己,从左到右依次为:G极(栅极),D极(漏极),S极(源极).1. 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 ...
芮甄17372404018：
场效应管和三极管的工作原理是不是一样? -
10901浦肾
： 场效应管和三极管都利用了PN结的原理,但是三极管是电流控制元件,基本原理是基于集电极电流和基极电流的比例关系;而场效应管是电压控制元件,其基本原理是通过电压改变导通沟道的宽度.它们另一个主要区别是场效应管的输入阻抗远远高于三极管(两者相差几个数量级到十几个数量级),因此场效应管对于信号源的输出阻抗就没有特别的要求,可以放大微弱或输出阻抗很高的信号.至于功耗、功率驱动能力、频率范围等方面,三极管和场效应管都有各种类型的型号,都同样能用于高频、高速、大电流、大功率、高电压场合.
