p沟道场效应管电路图
答：举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，如下图图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中可以了解场效应管做开关电路的接法。场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型和P沟道型，一般使...
答：详细解释：MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS， 导通时的管道是正电荷形成的则为PMOS，是负电荷形成则为NMOS，如图所示小箭头的方向为MOS导通过程中电子的运动轨迹，我们需要让电子按这个轨迹运动才能使MOS导通，那么当G极为负电压时，G极吸引MOS的正电荷，电子按轨迹运动，沟道形成，MOS导通，因此图上是P...
答：MOS依照其“通道”的极性不同，可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方...
答：在电路中的典型应用如下图所示，分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路：我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。重点、重点、重点...
答：场效应管N沟道和P沟道判断方法 （1） 场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞ （2） 场效应管的好坏判断 把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应...
答：场效应管要想工作在恒流区，管子必须处于导通状态，且栅源极之间的电压Ugs必须恒定。B和C选项这一类管子，栅极电位必须高出源极的电位一定值（超过开启电压），否则无法导通。A和D选项这一类管子，Ugs为零、正值或负值（不超过截止电压），都可以导通。因此可以采用A图的自偏压，或者D图的外置偏压。
答：如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。2、漏极的结构原理：在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区...
答：场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，...
答：下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道 MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与...
答：不过这样做成本增加，电路能耗效率也低，如果用作实验就无所谓了。二：将P沟道场效应管换成N沟道，源极接地，栅极接单片机控制，漏极接应用电路的地端，应用电路的红端接24V，不过这样一来电路可能就需要改动了。三：在单片机和场效应管之间再接一级放大电路,如图，不用多说，你会明白的。
网友评论：
笪和15750277347：
请教场效应管的简单接法 -
42955倪易
： 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
笪和15750277347：
请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法 -
42955倪易
： 你看看这个图. http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.
笪和15750277347：
如何识别场效应管 -
42955倪易
： 帮你找的,希望有用.【场效应管的识别】 场效应管在电路中常用字母“v”、“VT”加数字表示,如VT1表示编号为1的场效应管.对于国产场效应三极管的型号, 现在有两种命名方法.一是与普通三极管相同:第三位宁母J代表结型场效应...
笪和15750277347：
P沟道场效应管怎么接线呢
42955倪易
： 这个管是P沟道增强型绝缘栅场效应管,VDS=-20V,VG=+-8V,电流=1.6安,1.5瓦.不管用哪种电源都不能超过20伏.USB电压5伏没有问题. 使用时D极接电源负极,S极接正极,G极接控制电压,也就是输入端. 配图的问题不知道你要做什么用,没法画. 焊接时注意电烙铁要接地,防静电击穿栅极.
笪和15750277347：
为什么全耗尽结构能够显著减小短沟道效应 -
42955倪易
： 电子在沟道里传播,总是会有一部分滞留,这就是零点噪声,但全耗尽结构场效应管可以抑制这种效应,当电子滞留在沟道中时被消耗掉,便不会出现零点噪声
笪和15750277347：
如何分辨场效应管的N沟道和P沟道?怎么辨别三极管的NPN和PNP? -
42955倪易
： 1、场效应管分辨方法: 第一种方法:将万用表拨在R*1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值. 当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极...
笪和15750277347：
场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
42955倪易
： 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通谢谢采纳
笪和15750277347：
p沟道mos管怎么实现场效应 -
42955倪易
： 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N够道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两级之间不通导,栅极上有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道.改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻.这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管.如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小.这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管.统称为PMOS晶体管.
笪和15750277347：
场效应管检测N沟道和P沟道的方法 -
42955倪易
： 同理箭头从栅极指向其他,低电平就是截止,高电平截止,这是低电平导通.说白了给箭头方向相反的电流就是导通无论是P沟道还是N沟道,看电路图的箭头是指向哪里:如果箭头指向栅极,那给栅极高电平,其他的两极按照沟道的不同来接(P沟道的源极S接输入,漏极D导通输出,N沟道相反)就是导通
笪和15750277347：
画原理图时,2个P沟道的场效应管怎么设置,它们在PCB中显示的就是放在同一个封装为DIP8的封装里? -
42955倪易
： 你好!还是要把这里两个场效应管做成一个元件,不过在原理图中要以分开的形式体现对么?做法:文件-新建-库-原理图库,之后在工作窗口中点“工具-新器件”在弹出来的对话框中输入元件名称(IRF7432),确定之后做好如图中上面那个场...
