p沟道mos管结构图
答：为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是...
答：而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。请看下图。1）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、...
答：目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体...
答：1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较...
答：MOS管的电路符号 1）G、D、S极怎么区分？G极是比较好区分的，大家一眼就能区分。不论是P沟道mos管还是N沟道，两根线相交的就是S极。不论是P沟道还是N沟道，单独引线的那边就是D极。2）N、P沟道如何区分？箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向 N沟道，由S极...
答：这是一个控制电源通断的电路。AO3401是增强型PMOS，简单来说，当Vgs(即Q7的1-2间电压)有一个负压时，Q7就会导通，对于AO3401来讲，完全开通电压大约为-10V，但-3.3V也可以基本导通，只是阻抗略大（大约100毫欧），具体不同Vgs电压下导通阻抗可以查阅AO3401手册。对于图中电路，当CMMB_PWRON大于等于3...
答：第一个图是增强型p管可以部分导通，电压也可以经上边的二极管导通。第二个电压明显是有PR135来的。
答：结构特点：MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。n沟道mos管 p沟道mos管 其...
答：一、管脚的神秘面纱首先，让我们揭开MOS管管脚的面纱。在电路设计图上，G极（栅极），就像一位指挥家，一目了然，通常位于封装的左下角。S极（源极），则是沟道交汇之处，位于封装的右下角。而D极（漏极）则是个孤独的引脚，它标记着P沟和N沟的单一路径，静静地等待你的识别。二、沟道与寄生...
答：二、绝缘栅场效应管 1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。3、绝缘栅型场效应管的工作...
网友评论：
曾峰13599274625：
MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
38968纪仇
： 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
曾峰13599274625：
如下图中MOS管,是N沟道还是P沟道,G,S,D,分别是哪一极 -
38968纪仇
： 可能是耗尽型的绝缘栅极MOS,这个符号与国内常见画法不一样,是否从外文资料来. 国内的标法是用衬底的箭头方向来表示沟道类型. 结合三极管画法,这个就该是N沟道的.虚线那个极应是栅极(G),箭头那个极是S,另外那个是D.
曾峰13599274625：
请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法 -
38968纪仇
： 你看看这个图. http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.
曾峰13599274625：
N沟MOS管的构造及功能? -
38968纪仇
： MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
曾峰13599274625：
门电路工作原理? -
38968纪仇
： CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
曾峰13599274625：
什么叫mos场效应管 -
38968纪仇
： 1.概念:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
曾峰13599274625：
MOS管是什么? -
38968纪仇
： MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的. MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管. 拓展资料: MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.
曾峰13599274625：
请教场效应管的简单接法 -
38968纪仇
： 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
曾峰13599274625：
pmos晶体管的工作原理 -
38968纪仇
： PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
曾峰13599274625：
门电路详细解说与用途
38968纪仇
： 第五节 CMOS逻辑门电路 http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把 CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ,所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件,从发展趋势来看,由于制造工艺的改...
