p沟道mos管结构图
答：MOS依照其“通道”的极性不同，可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方...
答：是负电荷形成则为NMOS，如图所示小箭头的方向为MOS导通过程中电子的运动轨迹，我们需要让电子按这个轨迹运动才能使MOS导通，那么当G极为负电压时，G极吸引MOS的正电荷，电子按轨迹运动，沟道形成，MOS导通，因此图上是P沟道MOS管。
答：1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。如图为增强型N沟道、...
答：下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在...
答：1）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。2）...
答：A1SHB是P沟道MOS管，A2SHB是N沟道MOS管。封装都是SOT23-3封装 A1SHB(PL2301)实物图片,PL2301是三极管的一种，属于场效应管。A2SHB(PL2302)实物图片，PL2302是三极管的一种，属于场效应管。A1SHB（PL2301）PMOS管。 晶体管类型 ： P沟道MOSFET 最大功耗PD ： 1.25W 漏源电压VDS ：－20V（极限...
答：在电路中的典型应用如下图所示，分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路：我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。重点、重点、重点...
答：MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用4.5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用2.5V就能驱动。当电压为2.5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的...
答：beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
答：P沟道MOS管的开关特性: 当栅源电压GS为-1V（S=2.8V, G=1.8V），相比于S=2.8V, G=2.8V的不导通状态，它需要一个负电压差（-0.4V）来导通。控制栅极GPIO的电压要求在2.4V以上以确保关断，而在1.8V以下则能实现导通，但精确度受限。工作原理对比: P沟道MOS管以正电压导通，反电压截止...
网友评论：
离缸18719522711：
MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
7479樊莲
： 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
离缸18719522711：
如下图中MOS管,是N沟道还是P沟道,G,S,D,分别是哪一极 -
7479樊莲
： 可能是耗尽型的绝缘栅极MOS,这个符号与国内常见画法不一样,是否从外文资料来. 国内的标法是用衬底的箭头方向来表示沟道类型. 结合三极管画法,这个就该是N沟道的.虚线那个极应是栅极(G),箭头那个极是S,另外那个是D.
离缸18719522711：
N沟MOS管的构造及功能? -
7479樊莲
： MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
离缸18719522711：
门电路工作原理? -
7479樊莲
： CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
离缸18719522711：
什么叫mos场效应管 -
7479樊莲
： 1.概念:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
离缸18719522711：
pmos晶体管的工作原理 -
7479樊莲
： PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
离缸18719522711：
请教场效应管的简单接法 -
7479樊莲
： 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
离缸18719522711：
MOS管是什么? -
7479樊莲
： MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的. MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管. 拓展资料: MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.
离缸18719522711：
MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道 -
7479樊莲
： 指针表判断N-P沟方法(10K档):N沟MOS管:红表笔接(D),黑表笔接(S),指针满偏.P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反.数字表判断N-P沟方法(二极管档):N沟MOS管:黑表笔接(D),红表笔接(S),显示500左右数字.P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反.备注:D就是外壳.
离缸18719522711：
门电路详细解说与用途
7479樊莲
： 第五节 CMOS逻辑门电路 http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把 CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ,所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件,从发展趋势来看,由于制造工艺的改...
