光伏中ctm是什么意思？CTM值又是什么意思？电池片封装损失与组件封装损耗各指什么？ CTM是什么意思？
\u505a\u592a\u9633\u80fd\u7535\u6c60\u7ec4\u4ef6\u7684CTM\uff08\u5c01\u88c5\u635f\u5931\uff09\u6a21\u62df\u7528\u4ec0\u4e48\u8f6f\u4ef6\u6bd4\u8f83\u9002\u5408\uff1f\u8fd9\u4e2a\u4e5f\u80fd\u7528\u8f6f\u4ef6\u6a21\u62df\u5417\uff1f\u5927\u795e\u819c\u62dc\u4e86\uff01
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CTM
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\u6fb3\u95e8\u7535\u8baf\uff08\u5168\u79f0\u6fb3\u95e8\u7535\u8baf\u6709\u9650\u516c\u53f8\uff0cCompanhia de telecomunicações de Macaus de Macau, S.A.R.\uff0c\u7b80\u79f0CTM)\uff0c\u662f\u6fb3\u95e8\u7b2c\u4e00\u95f4\u63d0\u4f9b\u7535\u8bdd\u901a\u8baf\u670d\u52a1\u7684\u4f01\u4e1a\uff0c\u65bc1981\u5e7410\u6708\u6210\u7acb\u3002
\u6cbf\u9769\u6fb3\u95e8\u7684\u7535\u8bdd\u901a\u8baf\u539f\u5c5e\u6fb3\u95e8\u90ae\u7535\u53f8\u8f96\u4e0b\u7ba1\u7406\u3002\u76f4\u81f31981\u5e749\u670829\u65e5\uff0c\u6fb3\u8461\u653f\u5e9c\u4e0e\u5927\u4e1c\u7535\u62a5\u5c40\u7b7e\u5b9a20\u5e74\u7684\u4e13\u8425\u5408\u7ea6\u3002\u6fb3\u95e8\u7535\u8baf\u65bc1981\u5e7410\u6708\u6210\u7acb\u5f8c\uff0c\u4fbf\u62c5\u8d1f\u6539\u5584\u6fb3\u95e8\u7535\u8baf\u670d\u52a1\u4e4b\u4f7f\u547d\u3002\u6fb3\u95e8\u56de\u5f52\u5f8c\u5c4a\u6ee1\u7684\u4e13\u8425\u5408\u7ea6\uff0c\u5f97\u6fb3\u95e8\u7279\u533a\u653f\u5e9c\u6279\u51c6\u7eed\u671f10\u5e74\uff0c\u60df\u7535\u8baf\u5e02\u573a\u5982\u6d41\u52a8\u901a\u8baf\u670d\u52a1\u5df2\u5168\u9762\u5f00\u653e\u3002
通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。
影响CTM的因素很多，包括：
A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。
B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。
C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档，低效片混入)。
D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。
E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。
F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。
影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。
光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。
本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。
如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。
与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。
在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。
在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。
CTM就是电池片到组件的过程中的封装损失，CTM值等于组件的功率与一个组件所用电池片功率总和的比值，CTM越大表示封装损失越小，不了解电池片的封装损失，也行指的是同一个吧。
CTM是封装损失。ctm=1-实际功率/电池理论功率
通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。
与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。
一、组件CTM影响因素
影响CTM的因素很多，包括：
A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。
B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。
C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档，低效片混入)。
D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。
E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。
F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。
影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。
是不是CLT啊？
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