闩锁效应的原理图
答：图1：NPN型BJT结构示意图 在CMOS架构中，BJT的结合形成了一种特殊的电路结构，易受外部干扰影响，特别是在I/O电路中。闩锁效应的发生源于两个BJT在电源VDD和地线GND之间形成低阻抗通路，当它们的反馈回路增益乘积超过1时，便可能触发闩锁现象。闩锁原理与触发条件闩锁现象的触发通常在以下条件满足时发生：...
答：这些来源于穿通,场穿通或漏结雪崩的电流,一旦PNPN结构的电流达到用取消被激发晶体管旁路电阻形成的三极管结构计算的开关转换电流时,至少会发生瞬时闩锁,若总电流也能达到四极管结构开关转换电流,即闩锁将维持下去。 闩锁的防止技术: 体硅CMOS中的闩锁效应起因于寄生NPN和PNP双极晶体管形成的PNPN 结构,若能使两只晶体...
答：闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成 正反馈 形成闩锁。 避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截...
答：在电路设计中，闩锁效应Latch up涉及到四个主要元件：垂直式PNP BJT Q1，基极为nwell，集电极增益可达数百倍；NPN BJT Q2，基极为P substrate，增益可达数十倍；nwell的寄生电阻Rwell和substrate电阻Rsub。它们共同构成了可控硅(SCR)电路结构。正常情况下，当电路未受外部干扰时，两个BJT处于截止状态，集...
答：闩锁效应是CMOS工艺中的一种寄生效应，会对芯片的可靠性和稳定性造成严重影响。在设计和制造CMOS芯片时，需要注意以下事项：1、优化器件结构和布局：优化器件的结构和布局可以减少PNPN结构的形成，从而减少闩锁效应的发生。例如，可以采用特殊的器件结构和布局，如增加器件的掺杂浓度、增加器件的电阻、采用特殊...
答：图3： AGND和PGND分开连接的示例 这种选择的关键在于权衡干扰隔离和电压偏移的风险，取决于IC的特性，如转换速度、功率等级，以及封装寄生电感和工艺相关的闩锁效应。结论与启示 关于AGND和PGND的处理，没有固定的规则。用户往往依赖于IC制造商提供的示例电路，这些电路经过了制造商的测试，但也不能忽视潜在...
答：3. MOS晶体管与反相器 进一步深入MOS晶体管，包括其在反相器中的应用，如NMOS和CMOS反相器的性能分析，以及动态与静态特性。同时，讲解了延迟和功耗的影响因素。4. 工艺与设计规则 详细讲解了集成电路的加工工艺流程，包括材料制备、版图制作等，以及设计规则对电路性能的影响。CMOS反相器的闩锁效应...
答：半导体集成电路由于其材料的特性和器件结构、生产工艺上的特点，存在一些特有的物理效应，并在一定的条件下发生作用，可能会改变集成电路内部的形态和参数，从而使产品失效。其主要失效原理有：电迁移效应、静电放电、过电损伤、热载流子效应、闩锁效应、介质击穿、α辐射软误差效应。另外在经过贮存、使用一段...
答：如下图所示 多电压技术的采用使得电路中的某些模块工作于较低电压,它们更容易受到电压降的影响,从而引起时序违例。 对于静态电压降效应的解决方法是改进优化电源网络。对于动态电压降效应的解决方法是在电源和地线之间插入去耦电容(decoupling capacitance)。当某一瞬态电路中局部地区大量单元同时发生信号翻转,极短的时间内...
答：但是一段时间后其功能可能会恢复正常，HPM 引起 CMOS 反相器闩锁效应的能量阈值特性。这些报道多数都是 HPM 效应实验的结果描述和规律统计，而针对具体效应与规律进行机理分析和微观解释的研究则相对较少。CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。
网友评论：
江郭17729608168：
闩锁效应 - 百科
51578戈衬
： 全数字调光系统原理 一、全数字调光系统原理 全数字调光系统的基本概念有:DMX512数字信号传输协议,数字触发器,数字调光台,数字信号解码处理器. DMX512数字信号传输协议:以帧为单位,每帧数据由同步头和512个字节组成....
江郭17729608168：
试述双极性晶体管产生一次击穿的原因 -
51578戈衬
： 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片.闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁.避免闩锁的方...
江郭17729608168：
如何解决CMOS电路中的闩锁效应在现实生活中有什么具体的事例应用没有? -
51578戈衬
： 请先整理一下问题吧,这个问题看不懂啊. 闩锁的特点:异常大电流;部分或全部功能暂时失效甚至永久失效;关闭电源才可以脱离闩锁状态.闩锁效应是CMOS的一个特点,理论上来说,CMOS电路都有闩锁可能,只是程度不同. 危害:频繁死机;电池待机时间急剧缩短;芯片发热严重;芯片烧毁.
江郭17729608168：
如何防止CMOS电路产生锁定失效提高其使用可靠性 -
51578戈衬
： 即闩锁效应,又称自锁效应、闸流效应,它是由寄生晶体管引起的,属于CMOS电路的缺点.通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制.该效应会在低电压下导致大电流,这不仅能造成电路功能的混乱,而且还会使电源和地线间短路,引起芯片的永久性损坏.防止:在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触.
江郭17729608168：
闩锁效应中,寄生的两个双极型管中的一个变为正向偏置时,它提供了另...
51578戈衬
： TTL与CMOS电路的区别TTL:双极型器件,一般电源电压 5V,速度快(数ns),功耗大(mA级),负载力大,不用端多数不用处理. CMOS:单级器件,一般电源电压 15V,速度慢(几百ns),功耗低,省电(uA级),负载力小,不用端...
江郭17729608168：
模拟电路p管衬底可以不接电位吗 -
51578戈衬
： 当然不可以,对于Pmos管其衬底为N,如果不接电位,浮空的话,会有可能导致衬底电位变低,产生闩锁效应.所以P管衬底一定要接高电位.
江郭17729608168：
避免闩锁效应可采用哪些措施呢?
51578戈衬
： 避免闩锁效应可采用几种常见的措施:增加基区宽度(NMOS与PMOS之间的间距)、使用可以吸收注入电荷的保护环、深槽隔离等;每个厂家的工艺都有详细的指导书说明如何遵守设计规则,来控制闩锁的发生
江郭17729608168：
在“测量定值电阻的阻值”的实验中,(1)实验的原理是 - -----,请在如图所示方框内画出实验电路图.(2) -
51578戈衬
： 解:(1)伏安法测电阻的原理是欧姆定律,测出电阻两端电压与通过电阻的电流,由R= U I 可以求出电阻阻值;伏安法测电阻,电源开关、滑动变阻器、待测电阻、电流表组成串联电路,电压表与待测电阻并联,实验电路图如图所示. (2)连接电路时,开关应处在断开位置;在闭合开关前,滑动变阻器的滑片应移到阻值最大的位置. (3)实验中可用滑动变阻器来改变被测电阻两端的电压,分别记下多组对应的电压值和电流值,根据每组实验数据,算出电阻,最后求出它们的平均值作为电阻阻值. 故答案为:(1)欧姆定律;电路图如图所示;(2)断开;阻值最大;(3)滑动变阻器;多;平均值.
