n沟道增强型mos管图
答：产生耗尽层扩展变化控制的；在VGS=0V时ID=0，只有当VGSVGSth后才会出现漏极电流，所以，这种MOS管称为增强型MOS管VGS对漏极电流的控制关系可用iD=fVGSthVDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，如下图 增强型场效应管工作原理 1N沟道增强型；MOS晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属氧化...
答：功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大都采用垂直结构(即VMOS)，如VVMOS（V型槽结构）、VUMOS、SIPMOS等。图2显示了一种SIPMOS（n沟道增强型功率MOSFET）的部分剖面结构。其栅极用导电的多晶硅制成,栅极与半导体之间有一层二氧化硅薄膜,栅极与源极...
答：实用电路如下图（用N沟道的增强型MOS管电路形式最为简洁，选一款通态电阻小的MOS管，耐压不必高，额定电流够了就行）——
答：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
答：1：a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。3：d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称...
答：用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。一、先确定MOS管的引脚：1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管...
答：判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。
答：1：a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。3：d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称...
答：揭示MOS管的奥秘：工作原理、驱动策略与应用挑战 MOS管，这个电子领域的基石，以其增强型N沟道和P沟道的卓越特性，如低阻抗和易于制造，备受青睐。它们的核心在于其独特的栅极控制机制：通过施加正电压，N沟道导通，反之P沟道则关闭。这种精密的开关特性使得MOS管在开关电源、马达驱动等众多领域大放异彩，...
答：详细解释：MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS， 导通时的管道是正电荷形成的则为PMOS，是负电荷形成则为NMOS，如图所示小箭头的方向为MOS导通过程中电子的运动轨迹，我们需要让电子按这个轨迹运动才能使MOS导通，那么当G极为负电压时，G极吸引MOS的正电荷，电子按轨迹运动，沟道形成，MOS导通，因此图上是P...
网友评论：
毋薛18587204278：
请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法 -
30255利民
： 你看看这个图. http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.
毋薛18587204278：
N沟MOS管的构造及功能? -
30255利民
： MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
毋薛18587204278：
什么叫mos场效应管 -
30255利民
： 1.概念:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
毋薛18587204278：
怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
30255利民
： 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
毋薛18587204278：
请教场效应管的简单接法 -
30255利民
： 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
毋薛18587204278：
MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 -
30255利民
： MOSFET-P和MOSFET-N的区别:1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道;2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极.而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
毋薛18587204278：
场效应管所有符号,我不常用mos,到底是N型和P型的我分不开. -
30255利民
：[答案] mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型.箭头指向g的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽.箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽.希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,
毋薛18587204278：
谁能告诉我:MOS场效应管的选用方法 -
30255利民
： 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管),这几个都不错,不过建议使用日立的产品.
毋薛18587204278：
请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
30255利民
： 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了
毋薛18587204278：
P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
30255利民
： 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
