N沟道MOS管截止状态下，栅极电压高于漏极电压，MOS管就损坏？并且能修复？ N沟道MOS管截止状态下，栅极电压高于漏极电压，MOS管就损...
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由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。
在测量DS时候，最好将G与S短接，或者GS之间接一个电阻，或者放置在防静电的工作台上。由于MOS过于脆弱，一定保证人体无静电。
从你测量的结果看，明显的G存储了电荷并导致DS导通，G的电荷释放后DS又恢复了正常。
一般遇到这种情况使用表笔短接GDS三个极进行放电后在去测量，就可以了，因为场管GDS相当于电容，是属于正常现象，将GDS三个脚短接放电后在测就正常了。。。
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