n沟道mos管原理图
答：MOS管主要分为两大类型：增强型和耗尽型，依据沟道极性又可分为N沟道（NMOS）和P沟道（PMOS），它们各有特点。工作原理如同开关，漏极PN结在反向偏置时，栅极电压决定了电导通道的开启或关闭。形象比喻：想象一下，当漏极源极间电压为反向时，正的栅极电压就像是在导电桥上积聚电子，电流便开始流动。N...
答：它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MO...
答：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电...
答：场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。N沟道MOSFET管用法】：（栅极G高电平D与S 间导通，栅极G低电平D与S间 截止，P沟道与之相反）栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载...
答：MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS， 导通时的管道是正电荷形成的则为PMOS，是负电荷形成则为NMOS，如图所示小箭头的方向为MOS导通过程中电子的运动轨迹，我们需要让电子按这个轨迹运动才能使MOS导通，那么当G极为负电压时，G极吸引MOS的正电荷，电子按轨迹运动，沟道形成，MOS导通，因此图上是P沟道MOS管。
答：(2)那么，像图中所示，两个N型区，到底哪个是源极，哪个是漏极呢？讲道理，这两个N型区完全对称，谁做源极谁做漏极都可以的。这里有一个判断标准：两个N型区中，和衬底相连的是源级,另一端是漏极，这是由MOS管的工作原理决定的。所以，源极和漏极并不是事先定义好的，而是根据实际元件中...
答：产生耗尽层扩展变化控制的；在VGS=0V时ID=0，只有当VGSVGSth后才会出现漏极电流，所以，这种MOS管称为增强型MOS管VGS对漏极电流的控制关系可用iD=fVGSthVDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，如下图 增强型场效应管工作原理 1N沟道增强型；MOS晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属氧化...
答：这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
答：揭示MOS管的奥秘：工作原理、驱动策略与应用挑战 MOS管，这个电子领域的基石，以其增强型N沟道和P沟道的卓越特性，如低阻抗和易于制造，备受青睐。它们的核心在于其独特的栅极控制机制：通过施加正电压，N沟道导通，反之P沟道则关闭。这种精密的开关特性使得MOS管在开关电源、马达驱动等众多领域大放异彩，...
答：mos管是场效应管，是表面器件，对于增强型mos管是需要衬底反型形成导电沟道才能导电。上图为nmos管结构剖面图。当nmos管G不加电时，在漏源之间加电压，（漏接高源接低）。那么对于D端来看，衬底P和D端的n 是pn结反偏。对于源端n来说，pn结电压为0.所以都没有导电通路，因此没电流。建议看一下《...
网友评论：
西诞17680539379：
N沟MOS管的构造及功能? -
63219龚达
： MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
西诞17680539379：
场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
63219龚达
： 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通谢谢采纳
西诞17680539379：
如下图中MOS管,是N沟道还是P沟道,G,S,D,分别是哪一极 -
63219龚达
： 可能是耗尽型的绝缘栅极MOS,这个符号与国内常见画法不一样,是否从外文资料来. 国内的标法是用衬底的箭头方向来表示沟道类型. 结合三极管画法,这个就该是N沟道的.虚线那个极应是栅极(G),箭头那个极是S,另外那个是D.
西诞17680539379：
MOS管的工作原理是怎样的? -
63219龚达
： 简单的说MOS管通过沟道导电,沟道上的栅极偏压不同可以控制沟道导电电阻,从而达到饱和导通或者完全关闭(夹断).具体的在模拟电子线路或者半导体技术的书上讲的详细.
西诞17680539379：
请教场效应管的简单接法 -
63219龚达
： 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
西诞17680539379：
MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
63219龚达
： 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
西诞17680539379：
请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法 -
63219龚达
： 你看看这个图. http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.
西诞17680539379：
MOS管有哪些种类和结构呢?
63219龚达
： MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.
西诞17680539379：
MOS管怎么分辨N沟道还是P沟道 -
63219龚达
： 指针表判断N-P沟方法(10K档):N沟MOS管:红表笔接(D),黑表笔接(S),指针满偏.P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反.数字表判断N-P沟方法(二极管档):N沟MOS管:黑表笔接(D),红表笔接(S),显示500左右数字.P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反.备注:D就是外壳.
西诞17680539379：
NMOS晶体管的工作原理 -
63219龚达
： N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
